Portál AbcLinuxu, 17. prosinec 2017 18:44

Nástroje: Začni sledovat (0) ?Zašle upozornění na váš email při vložení nového komentáře.

Vložit další komentář
20.7. 04:43 Harvie.CZ
Rozbalit Rozbalit vše Re: HW novinky: životnost QLC je dle Toshiby srovnatelná s TLC NAND flash
Odpovědět | Sbalit | Link | Blokovat | Admin
když je v buňce potřeba přepsat jediný bit, znamená to u QLC nutnost „přepsat všech 16 hodnot“
Jak často potřebujete přepsat jediný bit na disku bez toho abyste přepsali i hromadu bitů sousedních? Obzvlášť dnes, kdy jsou programovací jazyky a v nich psané frameworky tak vysoko, že se z nich dá tak maximálně spadnout dolů do sémantické mezery a cestou dolu si nabít kokos.

Řekl bych, že je velmi nepravděpodobné, že nebude s bitem přepsán celý byte, nebo dva (minimalni velikost integeru v C). Reálně se přepisuje spíš víc. Nemluvě o tom, že SSD mají erease block, který je ještě mnohem větší, takže se už dnes kvůli hypotetické změně bitu přepíše mnohem víc než 15 sousedních bitů (tisíce).

Samozřejmě že přístup "narvat co nejvíc informace do jedný buňky" spolehlivosti těhle médií nepřidá. Jen to vaše vysvětlení podle mě trochu pokulhává. Na druhou stranu by to mohli kompenzovat tím, že by zvyšovali rozsah napětí, kterých může buňka nabývat.
hw avatar 20.7. 07:57 hw | skóre: 22 | blog: Digital Design
Rozbalit Rozbalit vše Re: HW novinky: životnost QLC je dle Toshiby srovnatelná s TLC NAND flash
Nemluvě o tom, že SSD mají erease block, který je ještě mnohem větší, takže se už dnes kvůli hypotetické změně bitu přepíše mnohem víc než 15 sousedních bitů (tisíce).

To sice ano, ale pokud se jedná o změnu 1 -> 0, u NOR flash a SLC NAND flash se prostě změní jeden bit. Mazání bloku je nutné pouze při změně 0 -> 1.

Samozřejmě že přístup "narvat co nejvíc informace do jedný buňky" spolehlivosti těhle médií nepřidá. Jen to vaše vysvětlení podle mě trochu pokulhává. Na druhou stranu by to mohli kompenzovat tím, že by zvyšovali rozsah napětí, kterých může buňka nabývat.

To není možné z důvodu zmenšování struktur. Pokud budeme pro jednoduchost uvažovat pouze planární MOS strukturu, se snižováním rozměrů musí docházet i ke snižování tloušťky hradlového oxidu a tedy i ke snižování napájecího/pracovního napětí. A samozřejmě i maximální množství náboje, které je možné nahromadit na plovoucím hradle je u menších struktur nižší.

21.7. 22:38 pc2005 | skóre: 34 | blog: GardenOfEdenConfiguration | liberec
Rozbalit Rozbalit vše Re: HW novinky: životnost QLC je dle Toshiby srovnatelná s TLC NAND flash
Odpovědět | Sbalit | Link | Blokovat | Admin
Je hezky vidět jak se budou mít ty buňky víc a víc stavů a technologie bude muset víc a víc izolovat okolní prostředí až to jednou plynule přejde na qubity a ten technologický skok nebude tak vysoký.
Chuck Norris řekl babičce, že si dá jen 3 knedlíky. A dostal 3 knedlíky. | 帮帮我,我被锁在中国房

Založit nové vláknoNahoru

Tiskni Sdílej: Linkuj Jaggni to Vybrali.sme.sk Google Del.icio.us Facebook

ISSN 1214-1267, (c) 1999-2007 Stickfish s.r.o.