Administrace komentářů

Na jednu stranu, na výkonové tranzistory teoreticky nepotřebujete maličké nanometry. Protože ta součástka vychází veliká, a pro vyšší napětí jsou beztak potřeba tlustší vrstvy materiálu. Na druhou stranu je fakt, že výkonové FETy jsou stejně spíš obří matice maličkých jednotlivých FETů - ale ani v tom případě se pokud vím nenaráží na meze možností definované co nejjemnějším rastrem litografie. Pravda je, že svého času velké zlepšení v parametrech přinesl TrenchFET (zřejmě něčí (TM), ne tak docela principielní obdoba FinFETu), což je otázka fajnovější litografie a vytváření "hlubokých" struktur (do třetího rozměru) - opět netuším, zda se to týkalo i vyšších pracovních napětí, nebo spíš těch nízkých (pro point-of-load VRM živené z distribuční větve 12V). Rychlým Googlem vidím TrenchFETy tak do 100V. Naopak Silicon Carbide vypadá jako technologie pro vyšší stovky až přes 1000 Voltů - tzn. pokud automotive, tak do elektromobilů. Ony tyhle výkonové polovodiče na první pohled nejsou až tolik sexy jako moderní logika, ale je to důležitá svébytná branže (jak našemu automotive odvětví předvedl COVID) takže podle mého skepse není na místě. Být špičkové pracoviště v leptání a pouzdření karborunda myslím vůbec není ostuda - něco si o tom materiálu přečtěte, za mě je poměrně sci-fi, leptat struktury výkonových polovodičů do materiálu, který soupeří o přední příčky v tvrdosti (= je velmi obtížně obrobitelný). Mimochodem ve výkonových polovodičích má ČR určitou tradici. K tématu mohu zmínit dvě videjka: přednes na FELu a populárně naučný YouTube kousek by Electro Dad (prvních deset minut je dost agitka, pak se to rozjede).