HW novinky: UMC míří k 20nm "3Dů FinFET tranzistorům (diskuse)

[snajpa]

Diky za paradni clanek, HW novinky mam rad. Mozna by ale neskodilo dat ho k precteni aspon jednomu dalsimu cloveku - to mnozstvi preklepu je tam trosku vadou na krase.

[2X4B-523P]

to je na odvedení pozornosti od skutečného obsahu, něco jako zprávy v televizi nebo bulvárním tisku

[Luboš Doležel (Doli)]

Pokud by se nějaký dobrovolník našel...

[snajpa]

Slo by to udelat wiki stylem? Ze by mistni grammar nazi dostali pristup udelat v clanku zmenu XYZ znaku? Ale asi to bude vic programovani, nez uzitku... Mozna by stacilo nejak napul publishnout clanek, nechat grammar nazis se vyradit, smazat komentare a publishnout znova?
Nenapada mne nic moc uzitecneho bez hodne prace predem, jak to udelat bez dedikovaneho cloveka...

[trekker.dk]

U FinFET technologie jde také o kvalitnější řídící elektrodu (označovanou u unipolárních tranzistorů gate), která je dvojitá/trojitá a celkově tak skrze ni může putovat více elektronů než u planární struktury (MOS)FET tranzistorů.

To je ten pokrok, ještě před pár lety nás ve škole učili, že skrz gate proud neteče (kromě nežádoucích svodových proudů samozřejmě)

[vlastikroot]

V jakemkoli stridavem proudu se gate (k source a millerovou kapacitou k drainu) chova jako kondenzator a rychlost nabijeni a tim i rychlost tranzistoru (maximalni frekvence procesoru) zavisi na maximalnim proudu skrz gate. BTW, na stredni skole se ohledne FETu uci tak 1% potrebnych znalosti. Tvrdit, ze skrz gate netece proud je ignorace zakladnich vlastnosti unipolarnich tranzistoru.

[pc2005]

Ještě bych dodal, že to není IMHO jen o kapacitě, to je spíš ta negativní vlastnost. Ztráty proudem ti obecně zvýší teplotu čipu a maximální větvení signálu a ve finále ti rychlost čipu spíš sníží. Maximální proud by taky potřeba nebyl, spíš by to chtělo minimální tau (=R*C). Tedy kapacitu (a odpor) ideálně nulovou, protože pak se kondík nabije okamžitě (resp. se nemusí nic nabíjet ). U elektrologiky () je totiž problém, že tam střídavý proud být může a nemusí. Velký kondenzátor se možná hodí u sekvence 0101010101, ale když přijde sekvence tisíců nul a pak jedna jednička a pak zase tisíce nul. Tak to velká kapacita prakticky nezaregistruje, leda bys zmenšoval ten odpor limitně k nule (hmm supravodivé efekty v procesoru, to by bylo zajímavé ).

[vlastikroot]

Tak to je snad jasny, ze ta kapacita musi byt co nejmensi - je dana plochou gate, tudiz i vyrobnim procesem. Napr. spinaci MOS-FET ma kapacitu gate v radech nF, u integrovanych obvodu je kapacita mnohokrat mensi. A odpor je omezeny hlavne kondenzatory na napajecich vetvich procesoru - musi mit co nejmensi ESR. Vlastni odpor medenych vrstev neni zas tak velky (jsou navrzene aby byly co nejkratsi a mely co nejvetsi prurez bez vedlejsich efektu).

[pc2005]

No na mě právě to vlákno i článek působilo tak, že to zase tak jasný není, ono je to hlavně celý formulovaný dost nešikovně (hehe včetně mé reakce). Ona i ta kapacita je víceméně "svod" (parazitní veličina). Mě osobně na članku taky zarazilo to, proč tam chtěj mít lepší proud elektronů a až po chvíli mě došlo, že tím myslej ne to, že víc elektronů = víc addidas, ale že se "zoufale" snažej zmenšit tau. Čili ta elektroda nebude

kvalitnější

ale workaroundová (nehledě na to, že pokud bude mít větší styčnou plochu, tak bude mít asi i větší kapacitu).

[BobiBolivia]

Příloha:

• exception.txt (2851 bytů)

Super clanok Budem sem chodit odteraz castejsie

Pozn.: Chcel som si zvacsit obrazok, no smarilo to chybu 500. Detaily v prilohe.

[Filip Jirsák]

Nemá to "3Dů v nadpise být spíš "3D", nebo raději „3D“?

[Luboš Doležel (Doli)]

Jasně, omlouvám se, dělal jsem to už příliš unaven.

[JZD]

Našel jsem v článku tyhle překlepy nepordává, porti. Jsou dokonce v jedné větě.

[Luboš Doležel (Doli)]

Opraveno, díky.

[Rivon]

Mám dojem, že ten 4. obrázek u toho Sempronu tam nepatří :)

[Nereknu]

treba ho zvladli otevrit na 6ti jadro a dokonce i l2 a l3 cache...

[Nereknu]

brano s nadsazkou